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DMN3029LFG
2
1.5
I D = 1mA
30
25
20
T A = 25°C
1
I D = 250μA
15
10
0.5
5
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
f = 1MHz
C ISS
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
C OSS
100
C RSS
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
4 8 12 16
20
1
0
10
20
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMN3029LFG
Document number: DS35448 Rev. 7 - 2
5 of 7
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
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